三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段
【三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段】《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。
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芯片设计后端(三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段)
